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    PS7142L-1B 参数 Datasheet PDF下载

    PS7142L-1B图片预览
    型号： PS7142L-1B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 6 ， 8引脚DIP ， 400 V击穿电压，常闭型1路， 2路光耦合MOS场效应管 [6, 8-PIN DIP, 400 V BREAK DOWN VOLTAGE, NORMALLY CLOSE TYPE 1-ch, 2-ch Optical Coupled MOS FET]
    分类和应用： 光电输出元件瞄准线
    文件页数/大小： 11 页 / 372 K
    品牌： CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
     浏览型号PS7142L-1B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号PS7142L-1B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PS7142L-1B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PS7142L-1B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PS7142L-1B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PS7142L-1B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号PS7142L-1B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号PS7142L-1B的Datasheet PDF文件第9页  
    PS7142-1B,-2B,PS7142L-1B,-2B
    绝对最大额定值（T
    A
    = 25
    °C,
    除非另有规定编）
    评级
    参数
    符号
    PS7142-1B,
    PS7142L-1B
    二极管
    正向工作电流（DC）的
    反向电压
    功耗
    最大正向电流
    MOS FET
    击穿电压
    连续
    负载电流
    *2
    *1
    PS7142-2B,
    PS7142L-2B
    50
    5.0
    50
    1
    单位
    I
    F
    V
    R
    P
    D
    I
    FP
    V
    L
    mA
    V
    毫瓦/通道
    A
    V
    mA
    −
    −
    400
    200
    250
    400
    连接A
    连接B
    连接C
    I
    L
    脉冲负载电流
    *3
    I
    LP
    400
    mA
    （交流/直流连接）
    功耗
    隔离电压
    *4
    P
    D
    BV
    P
    T
    T
    A
    T
    英镑
    560
    1 500
    610
    −40
    +85
    375
    毫瓦/通道
    Vr.m.s.
    总功耗
    工作环境温度
    储存温度
    850
    mW
    °C
    °C
    −40
    +100
    *1
    PW = 100
    µ
    S，占空比= 1 ％
    *2
    条件：我
    F
    ≥
    2毫安。可用负载连接的以下类型。
    1
    2
    3
    1
    2
    3
    1
    2
    3
    1
    2
    3
    6
    5
    4
    6
    5
    4
    6
    5
    4
    6
    5
    I
    L
    L
    –
    + V
    L
    （DC）的
    连接A
    I
    L
    V
    L
    （交流/直流）
    L
    L
    +
    V
    L
    （DC）的
    –
    I
    L
    连接B
    I
    L
    L
    I
    L
    + I
    L
    连接C
    +
    V
    L
    （DC）的
    –
    4
    I
    L
    *3
    PW = 100毫秒， 1次射门
    *4
    AC电压在T 1分钟
    A
    = 25
    °C,
    RH = 60 ％的输入和输出之间
    4
    数据表PN10285EJ01V1DS

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