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PS7200E-1A-F4-A 参数 Datasheet PDF下载

PS7200E-1A-F4-A图片预览
型号: PS7200E-1A-F4-A
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内容描述: 4 -PIN SOP , 0.8欧姆的低导通电阻1路光耦合MOS场效应管 [4-PIN SOP, 0.8 ohm LOW ON-STATE RESISTANCE 1-ch Optical Coupled MOS FET]
分类和应用: 光电输出元件
文件页数/大小: 12 页 / 342 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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PS7200E-1A
电气特性(T
A
= 25
°C)
参数
二极管
正向电压
反向电流
MOS FET
关闭状态漏泄
当前
输出电容
再加
LED通态电流
导通状态电阻
C
OUT
I
R
on1
R
on2
开启时间
*1
*1
符号
V
F
I
R
I
的Loff
I
F
= 5毫安
V
R
= 5 V
V
D
= 40 V
条件
分钟。
典型值。
1.1
马克斯。
1.4
5.0
单位
V
µ
A
nA
0.1
10
V
D
= 0 V , F = 1兆赫
I
L
= 250毫安
I
F
= 5毫安,我
L
= 10毫安
I
F
= 5毫安,我
L
= 250毫安,T
10毫秒
I
F
= 5毫安, V
O
= 5 V ,R
L
= 500
Ω,
PW
10毫秒
V
我-O
= 1.0千伏
DC
V = 0 V , F = 1兆赫
I
F
= 10毫安, TR
(中)
= 25 ps的,
V = 250 mV时, 50
终止
10
9
33.5
2.0
0.8
0.8
0.48
0.15
1.6
1.6
1.0
0.5
pF
mA
t
on
t
关闭
R
我-O
C
我-O
ERT
ms
打开-O FF时间
绝缘电阻
隔离电容
等效上升时间
*2
0.5
78
pF
ps
*1
的导通时间和关断时间都被指定为输入脉冲宽度
10毫秒。
注意,当器件工作在10毫秒的输入脉冲宽度时,导通时间和关断
时间将增加。
*2
ERT波形和公式
V = 250 mV的
90 %
输入
10 %
V = 0毫伏
tr
(中)
90 %
产量
tr
(下)
10 %
ERT =
tr
(下)
2
ΔTR
(中)
2
数据表PN10293EJ01V0DS
5