UPA801T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	UPA801T
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内容描述：	NPN硅高频 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 177 K
品牌：	CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]

NPN硅高

高频三极管

特点

•

小型封装形式：

在2毫米×1.25毫米封装2 NE856模

低噪声系数：

NF = 1.2 dB典型值在1 GHz

高增益：

21E

= 9.0分贝典型值在1 GHz

高集电极电流：

100mA

0.65

2.0

0.2

UPA801T

外形尺寸

（以毫米单位）

包装外形S06

（ TOP VIEW ）

2.1

0.1

1.25

0.1

0.2 （所有信息）

描述

NEC的UPA801T是两个NPN高频硅外延

晶体管封装在一个超小型6引脚表面贴装封装。

各晶体管被独立地安装并容易config-

置的对无论是双晶体管或级联操作。高

低电压偏置和小尺寸使该器件非常

适用于寻呼机和其它手持无线应用。

1.3

0.9

0.1

0.7

0.15

- 0.05

引脚输出

0 ~ 0.1

1.集晶体管1

2.发射极晶体管1

3.三极管集电极2

4.发射极晶体管2

5.基晶体管2

6.基晶体管1

注意：

销3是确定与在所述封装的底部的圆。

+0.10

电气特性

= 25°C)

产品型号

包装外形

符号

CBO

EBO

FE1

CRE

21E

FE1

FE2

参数和条件

集电极截止电流在V

= 10 V，I

= 0

发射极截止电流在V

= 1 V，I

= 0

正向电流增益在V

= 3 V，I

= 7毫安

增益带宽在V

= 3 V，I

= 7毫安

反馈电容在V

= 3 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

插入功率增益在V

= 3 V，I

= 7 mA时， F = 1 GHz的

噪声系数在V

= 3 V，I

= 7 mA时， F = 1 GHz的

比例：H

FE1

= Q的较小值

或Q

FE2

=值越大，功率因数Q

或Q

GHz的

0.85

单位

µA

3.0

120

4.5

0.7

1.2

2.5

1.5

民

UPA801T

S06

典型值

最大

1.0

250

注： 1.Pulsed测量，脉冲宽度

≤

350

µs,

占空比

≤

2 %.

2.发射端应连接到3端子电容电桥的接地端子。

对于磁带和卷轴版本使用的零件号UPA801T -T1 ， 3K每卷。

美国加州东部实验室

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