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UPA802T-T1-A 参数 Datasheet PDF下载

UPA802T-T1-A图片预览
型号: UPA802T-T1-A
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 200 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NPN硅高
高频三极管
特点
小型封装形式:
在2毫米×1.25毫米封装2 NE681模
低噪声系数:
NF = 1.4 dB典型值在1 GHz
高增益:
|S
21E
|
2
= 12 dB典型值在1 GHz
高增益带宽:
f
T
= 7 GHz的
低电流工作模式
2.0
±
0.2
1.3
2
UPA802T
外形尺寸
(以毫米单位)
包装外形S06
( TOP VIEW )
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
0.65
1
6
0.2 (所有信息)
5
描述
NEC的UPA802T是两个NPN高频硅外延
晶体管封装在一个超小型6引脚表面贴装封装。
各晶体管被独立地安装并容易config-
置的对无论是双晶体管或级联操作。高
f
T
低电压偏置和小尺寸使该器件适合
各种手持无线应用。
3
4
0.9
±
0.1
0.7
0.15
- 0.05
+0.10
引脚输出
1.集晶体管1
2.发射极晶体管1
3.三极管集电极2
4.发射极晶体管2
5.基晶体管2
6.基晶体管1
0 ~ 0.1
注意:
销3是确定与在所述封装的底部的圆。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
f
T
CRE
2
|S
21E
|
2
NF
h
FE1
/h
FE2
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 10 V,I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V,I
C
= 0
正向电流增益在V
CE
= 3 V,I
C
= 7毫安
增益带宽在V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
反馈电容在V
CB
= 3 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
h
FE
比例:H
FE1
= Q的较小值
1
或Q
2
h
FE2
= Q的值越大,
1
或Q
2
GHz的
pF
dB
dB
0.85
10
12
1.4
1.7
单位
µA
µA
70
4.5
100
7.0
0.9
UPA802T
S06
典型值
最大
0.8
0.8
240
注意事项: 1,脉冲测量,脉冲宽度
350
µs,
占空比
2 %.
2.发射端应连接到3端子电容电桥的接地端子。
对于磁带和卷轴版本使用的零件号UPA802T -T1 , 3K每卷。
美国加州东部实验室