初步数据表
硅晶体管
UPA810T
NPN硅高
高频三极管
特点
•
•
•
•
•
小型封装形式：
在2毫米×1.25毫米封装2 NE856模
低噪声系数：
NF = 1.2 dB典型值在1 GHz
高增益：
|S
21E
|
2
= 9.0分贝典型值在1 GHz
出色的低电压，低电流
性能
高集电极电流：
百毫安
0.65
2.0
±
0.2
1.3
2
5
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形S06
（ TOP VIEW ）
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
1
6
0.2 （所有信息）
3
4
描述
NEC的UPA810T是两个NPN高频硅外延
晶体管封装在一个超小型6引脚表面贴装封装。
各晶体管被独立地安装并容易config-
置的对无论是双晶体管或级联操作。高
f
T
低电压偏置和小尺寸使该器件适合
各种手持无线应用。
0.9
±
0.1
0.7
0.15
- 0.05
+0.10
引脚输出
1.集晶体管1
2.基晶体管2
3.三极管集电极2
4.发射极晶体管2
5.发射极晶体管1
6.基晶体管1
0 ~ 0.1
注意：
销3是确定与在所述封装的底部的圆。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
f
T
CRE
2
|S
21E
|
2
NF
h
FE1
/h
FE2
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 10 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
正向电流增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
增益带宽在V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
反馈电容在V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
h
FE
比例：H
FE1
= Q的较小值
1
或Q
2
h
FE2
= Q的值越大，
1
或Q
2
GHz的
pF
dB
dB
0.85
7
单位
µA
µA
70
3.0
120
4.5
0.7
9
1.2
2.5
1.5
民
UPA810T
S06
典型值
最大
1.0
1.0
250
注意事项： 1，脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
µs,
占空比
≤
2 %.
2.发射端应连接到3端子电容电桥的接地端子。
对于磁带和卷轴版本使用的零件号UPA810T -T1 ， 3K每卷。
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发表日期： 2005年6月28日
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
