双极模拟集成电路
UPC3225TB
5 V ，硅锗MMIC
中等输出功率放大器
描述
该
PC3225TB是硅锗（SiGe ），单片集成电路设计为中频放大器，用于DBS
调谐器。该IC采用了50 GHz的˚F制造
最大
UHS2 （超高速加工）的SiGe双极性工艺。
特点
•
宽带响应
•
低电流
•
中等输出功率
•
高线性度
•
功率增益
•
噪声系数
•
电源电压
•
端口阻抗
: f
u
= 2.8 GHz的典型。 @ 3 dB带宽
: I
CC
= 24.5毫安TYP 。
: P
O（坐）
= 15.5 dBm的典型。 @ F = 0.95GHz
: P
O（坐）
= 12.5 dBm的典型。 @ F = 2.15 GHz的
: P
O（ 1分贝）
= 9.0 dBm的典型。 @ F = 0.95 GHz的
: P
O（ 1分贝）
= 7.0 dBm的典型。 @ F = 2.15 GHz的
: G
P
= 32.5分贝TYP 。 @ F = 0.95 GHz的
: G
P
= 33.5分贝TYP 。 @ F = 2.15 GHz的
： NF = 3.7 dB典型值。 @ F = 0.95 GHz的
： NF = 3.7 dB典型值。 @ F = 2.15 GHz的
: V
CC
= 4.5〜 5.5 V
：输入/输出50
应用
•
IF放大器LNB的DBS转换器等。
订购信息
产品型号
PC3225TB-E3
订单号
包
记号
C3M
供给方式
压纹带8mm宽。
1 ，2，3管脚面对带的穿孔侧。
数量3千件/卷。
PC3225TB - E3 -A 6引脚超minimold
（无铅）
记
记
随着关于终端焊料（焊料中含有铅）电镀制品（常规电镀） ，接触
您最近的销售部门。
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门
样品订购部件号：
PC3225TB.
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
一号文件PU10500EJ01V0DS （第1版）
发布日期2004年12月CP （ K）
NEC化合物半导体器件，公司2004年
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
