硅RFIC
低电流放大器
移动通信
特点
•
低电流消耗
I
CC
= 1.9毫安TYP @ V
CC
= 3.0 V
•电源电压：
V
CC
= 2.4〜 3.3 V
•卓越的隔离：
ISOL = 39 dB典型值@ F = 1.0 GHz的
ISOL = 40 dB典型值@ F = 1.9 GHz的
ISOL = 38 dB典型值@ F = 2.4 GHz的
•功率增益：
G
P
= 11.0分贝TYP @ F = 1.0 GHz的
G
P
= 11.5分贝TYP @ F = 1.9 GHz的
G
P
= 11.5分贝TYP @ F = 2.4 GHz的
•工作频率：
0.1〜 2.4千兆赫（输出端口LC匹配）
•1个1dB增益压缩输出功率：
P
O（1 dB为单位）
= -4.0 dBm的典型值@频率为1.0 GHz的
P
O（1 dB为单位）
= -7.0 dBm的典型值@ F = 1.9 GHz的
P
O（1 dB为单位）
= -7.5 dBm的典型值@ F = 2.4 GHz的
•高密度表面安装：
6针超级minimold包（2.0× 1.25× 0.9毫米）
•
低体重：
7毫克（标准值）
+20
UPC8178TB
功率增益与频率
V
CC
= 3.0 V
1.0 GHz的
+10
T
A
= -40°C
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
0
2.4 GHz的
-10
-20
1.9 GHz的
-30
-40
0.1
0.3
1.0
3.0
描述
该UPC8178TB是硅单片集成电路
设计为一个放大器，用于移动通信。该IC
可以实现低电流消耗与外部芯片
这无法实现对内部50电感
Ω
宽带
匹配的IC 。这种低电流放大器工作在3.0 V.这
设备在使用NEC的30千兆赫的fmax UHS0 （制造超
高速加工）硅双极工艺，采用直接
氮化硅钝化膜和金电极。这些
材料可以保护芯片表面不受污染和
防止腐蚀/迁移。因此，该集成电路具有优异perfor-
曼斯，均匀性和可靠性。
NEC严格的质量保证和测试程序保证
最高的可靠性和性能。
UPC8178TB
S06
单位
mA
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
民
1.4
9.0
9.0
9.0
34
35
33
-8.0
-11.0
-11.5
–
–
–
4
5
6.5
典型值
1.9
11.0
11.5
11.5
39
40
38
-4.0
-7.0
-7.5
5.5
5.5
5.5
7
8
9.5
最大
2.4
13.0
13.5
13.5
–
–
–
–
–
–
7.0
7.0
7.0
–
–
–
应用
•缓冲放大器在0.1〜 2.4 GHz的移动
通信系统
电气特性
产品型号
包装外形
符号
I
CC
G
P
功率增益
ISOL
隔离
P
O(1dB)
1分贝增益压缩输出功率
NF
噪声系数
RLIN
输入回波损耗
F = 1.0 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 2.4 GHz的
参数和条件
1
短路电流（无信号）
F = 1.0 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 2.4 GHz的
(T
A
= 25 ° C，V
CC
= V
OUT
= 3.0 V，Z
S
= Z
L
= 50
Ω,
在LC匹配的频率，除非另有说明） ）
F = 1.0 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 2.4 GHz的
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
