硅RFIC低
电流放大器UPC8179TB
移动通信
特点
•高密度表面安装：
6引脚超级Minimold封装（ 2.0× 1.25 ×0.9 MM）
•电源电压：
V
CC
= 2.4〜 3.3 V
•高效率：
P
O
（ 1分贝） = 3.0 dBm的典型值在f = 1.0 GHz的
P
O
（ 1分贝） = 1.5 dBm的典型值在f = 1.9 GHz的
P
O
（ 1分贝） = 1.0 dBm的典型值在f = 2.4 GHz的
•功率增益：
G
P
= 13.5 dB典型值，在f = 1.0 GHz的
G
P
= 15.5分贝TYP在f = 1.9 GHz的
G
P
= 15.5分贝TYP在f = 2.4 GHz的
•卓越的隔离：
ISL = 44 dB典型值，在f = 1.0 GHz的
ISL = 42 dB典型值，在f = 1.9 GHz的
ISL = 41 dB典型值，在f = 2.4 GHz的
•低电流消耗：
I
CC
= 4.0毫安典型值均在Vcc = 3.0V，
•工作频率：
I
CC
= 4.0毫安典型值均在Vcc = 3.0V，
•重量轻：
7毫克（标准值）
功率增益与频率
+20
V
CC
= 3.0 V
+10
T
A
= -40°C
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
0
2.4 GHz的
–10
–20
1.0 GHz的
–30
1.9 GHz的
–40
0.1
0.3
1.0
3.0
输出匹配以获得最佳性能
在每个频率
描述
NEC的UPC8179TB是硅单片集成电路
设计为放大器，用于移动通信。该IC可
实现低电流消耗与外部芯片电感
它可以实现对内部50Ω的宽带匹配的IC 。
在3.0 V.该IC这种低电流放大器UNS制造
使用NEC的30千兆赫的Fmax UHS0 （超高速加工）
硅双极工艺。此方法使用直接氮化硅
钝化膜和金电极。这些材料可以
保护芯片表面不受污染，防止腐蚀/
迁移。因此，该IC具有多方位的性能一致性
和可靠性。
APPLICATIOIN
•缓冲放大器为0.1〜 2.4 GHz的移动通信
系统。
电气特性，
产品型号
包装外形
符号
I
CC
GP
功率增益，
参数和条件
短路电流（无输入信号）
F = 1.0千兆赫，P
IN
= -30 dBm的
F = 1.9千兆赫，P
IN
= -30 dBm的
F = 2.4千兆赫，P
IN
= -30 dBm的
F = 1.0千兆赫，P
IN
= -30 dBm的
F = 1.9千兆赫，P
IN
= -30 dBm的
F = 2.4千兆赫，P
IN
= -30 dBm的
F = 1.0 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 1.0千兆赫，P
IN
= -30 dBm的
F = 1.9千兆赫，P
IN
= -30 dBm的
F = 2.4千兆赫，P
IN
= -30 dBm的
（除非另有规定，T
A
= + 25 ° C，V
CC
= V
OUT
= 3.0 V，Z
S
= Z
L
= 50Ω ，在LC匹配频率）
UPC8179TB
S06
单位
mA
dB
民
2.9
11.0
13.0
13.0
39.0
37.0
36.0
-0.5
-2.0
-3.0
–
–
–
4.0
4.0
6.0
典型值
4.0
13.5
15.5
15.5
44.0
42.0
41.0
3.0
1.5
1.0
5.0
5.0
5.0
7.0
7.0
9.0
最大
5.4
15.5
17.5
17.5
–
–
–
–
–
–
6.5
6.5
6.5
–
–
–
ISOL
隔离，
dB
P
1dB
在输出功率
1分贝增益
压缩，
噪声系数，
dB
NF
dB
RL
IN
输入回波损耗，
（不匹配
电路）
dB
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
