NEC的硅锗
低噪声放大器UPC8211TK
GPS /移动通信
特点
•低噪音：
N
F
= 1.3 dB典型值。
•高增益：
G
P
= 18.5分贝TYP 。
•低电流消耗：
I
CC
= 3.5毫安TYP 。在V
CC
= 3.0 V
•内置省电功能：
•高密度表面安装：
6针导致少minimold封装（ 1.5× 1.3× 0.55mm）上
内部框图
输入1
GND 2
PS 3
描述
BIAS
6 VCC
5 GND
4输出
应用
•低噪声放大器呃GPS和移动通讯
•通用的低噪声放大器器
NEC的UPC8211TK是硅锗（SiGe）的单片
集成电路设计的低噪声放大器呃GPS和
作为一般的低NOIS扩增fi er移动通信。
包是6针引线少minimold （1.5× 1.3× 0.55mm）上
适合表面贴装和非常密集的优化
填充紧凑的设计。
该IC采用NEC公司的60 GHz的˚F制造
T
UHS2 （超
高速加工）的硅双极工艺。这个过程
可实现卓越的低噪音的性能与低功耗
同时消费。
NEC严格的质量保证和测试程序保证
最高的可靠性和性能。
电气特性，
（除非另有规定ED ，T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 3.0 V，F
in
= 1575兆赫，V
PS
= 3.0 V)
产品型号
包装外形
符号
I
CC
GP
NF
国际投资头寸
3
RL
IN
RL
OUT
ISO
V
PS上
V
PS掉
平
P
O（1 dB为单位）
P
o
参数和条件
短路电流（无输入信号）
在节电模式（V
PS
< 0.8V ）
功率增益
噪声系数
三阶失真输入截取点（增益= 18.5分贝）
输入回波损耗
输出回波损耗
隔离
从省电模式电压上升
从省电模式下降的电压
增益平坦度（FI N± 2.5兆赫）
增益1分贝压缩输出功率
输出功率
单位
mA
μA
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
V
V
dB
DBM
DBM
民
–
–
15.5
–
–
–
–
–
2.2
–
–
–
-1.5
UPC8211TK
S06
典型值
3.5
–
18.5
1.3
-12
-7.5
-14.5
-32.5
–
–
–
-4
+2.0
最大
4.5
1
21.5
1.5
–
-6
-10
–
–
0.8
Δ0.5
–
–
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
