NEC的¼ W单控制
UPG2012TK
L， S波段SPDT开关
特点
•电源电压：
V
DD
= 2.7〜 3.0 V（ 2.8 V TYP 。 ）
•单开关控制电压：
V
续（H ）
= 2.7〜 3.0 V（ 2.8 V TYP 。 ）
V
CONT （ L）
=
−0.2
到+0.2 V（ 0 V TYP 。 ）
•低插入损耗：
L
INS1
= 0.27 dB典型值。 @ F = 0.5〜 1.0千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V/0 V
L
INS2
= 0.30 dB典型值。 @ F = 2.0千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V/0 V
L
INS3
= 0.30 dB典型值。 @ F = 2.5千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V/0 V
（参考值）
•高隔离：
I
SL1
= 30 dB典型值。 @ F = 0.5〜 2.0千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V/0 V
I
SL2
= 30 dB典型值。 @ F = 2.5千兆赫，V
DD
= 2.8 V, V
CONT
= 2.8 V/0 V
（参考值
)
描述
NEC的UPG2012TK是一个单一的控制的GaAs MMIC的
L， S波段SPDT （单刀双掷）开关
移动电话和L， S波段的应用程序。
此装置可从0.5 GHz的操作频率，以2.5
千兆赫，具有低插入损耗和高的隔离度。
该器件采用6引脚无铅少minimold封装
年龄适合于高密度的表面安装。
应用
•L ， S波段数字蜂窝或者无绳电话
•蓝牙
TM
， W- LAN和WLL
•短距离无线
•高密度表面安装：
6引脚无铅少minimold包
订购信息
产品型号
UPG2012TK-E2-A
包
6引脚无铅减Minimold
(1511)
记号
G3H
供给方式
•
压纹带8mm宽
•
销1,6面带的穿孔侧
•
数量5千件/卷
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售网络的CE 。
样品订购部件号： UPG2012TK
小心
观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
