砷化镓集成电路
µ
PG2160T5K
L， S波段单控SPDT开关
描述
该
µ
PG2160T5K是GaAs MMIC为L， S波段的SPDT （单刀双掷）开关，其被开发
用于移动电话和其它L， S波段的应用程序。
此装置可从0.5到3.0 GHz的操作频率，具有低插入损耗和高的隔离度。
该器件采用6引脚塑料TSSON （超薄紧缩无引脚小型输出线）封装，适合
用于高密度的表面安装。
特点
•电源电压
•开关控制电压
•
: V
DD
= 2.4 〜2.8 V（ 2.6 V TYP 。 ）
: V
续（H ）
= 2.4 V
DD
（ 2.6 V TYP 。 ）
: V
CONT （ L）
=
−0.2
以0.2 V （ 0 V TYP 。 ）
低插入损耗
: L
插件
1 = 0.30 dB典型值。 @ F = 0.5〜 1.0千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
插件
2 = 0.35 dB典型值。 @ F = 1.0〜 2.0千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
插件
3 = 0.40 dB典型值。 @ F = 2.0〜 2.5千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
插件
4 = 0.00 dB典型值。 @ F = 2.5〜 3.0千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
高隔离度
： ISL1 = 25 dB典型值。 @ F = 0.5〜 1.0千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
： ISL2 = 18 dB典型值。 @ F = 1.0〜 2.0千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
： ISL3 = 17 dB典型值。 @ F = 2.0〜 2.5千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
： ISL4 = 13 dB典型值。 @ F = 2.5〜 3.0千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
承受功率
: P
在（0.1 dB为单位）
= 21.0 dBm的典型。 @ F = 2.0 / 2.5千兆赫，V
DD
= 2.6 V, V
续（H ）
= 2.6 V, V
CONT （ L）
= 0 V
高密度表面安装： 6引脚塑料封装TSSON （ 1.0
×
1.0
×
0.37 mm)
•
•
•
应用
•L ， S波段数字蜂窝或者无绳电话
TM
• W- LAN ， WLL和蓝牙等。
订购信息
产品型号
订单号
包
6引脚塑料TSSON
（无铅）
记
记号
G4
供给方式
•
压纹带8mm宽
•
销1,6面带的穿孔侧
•
数量5千件/卷
µ
PG2160T5K-E2
µ
PG2160T5K-E2-A
记
随着关于终端焊料（焊料中含有铅）电镀制品（常规电镀） ，接触
您最近的销售部门。
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号：
µ
PG2160T5K-A
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
一号文件PG10635EJ01V0DS （第1版）
发布日期2006年9月NS CP （ K）
2006
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
