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2N2222 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N2222
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 2 页 / 526 K
品牌: CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
 浏览型号2N2222的Datasheet PDF文件第2页  
2N2221
2N2222
NPN硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央SEMICONDUCTOR 2N2221 , 2N2222
类型NPN硅外延平面型晶体管
设计用于小信号,通用交换
应用程序。
标记:全部型号
TO- 18 CASE
最大额定值:
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
功率耗散( TC = 25°C )
工作和存储结温
热阻
热阻
电动
符号
ICBO
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE ( SAT )
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
VBE ( SAT )
fT
COB
兴业银行
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
Θ
JC
单位
V
V
V
mA
mW
W
°C
° C / W
° C / W
60
30
5.0
800
400
1.2
-65到+200
438
146
特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
测试条件
VCB=50V
-
VCB = 50V , TA = 150℃
VEB=3.0V
IC=10μA
IC=10mA
IE=10μA
IC=150mA,
IC=500mA,
IC=150mA,
IC=500mA,
IB=15mA
IB=50mA
IB=15mA
IB=50mA
-
-
60
30
5.0
-
-
0.6
-
250
-
-
最大
10
10
10
-
-
-
0.4
1.6
1.3
2.6
-
8.0
30
单位
nA
μA
nA
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
pF
VCE = 20V , IC = 20mA时, F = 100MHz的
VCB = 10V , IE = 0 , F = 100kHz的
VEB = 0.5V , IC = 0 , F = 100kHz的
R1 ( 2012年30月)