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2N2326 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N2326
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内容描述: 可控硅整流1.6安培, 25 THRU 400伏 [SILICON CONTROLLED RECTIFIER 1.6 AMPS, 25 THRU 400 VOLTS]
分类和应用: 栅极触发装置可控硅整流器
文件页数/大小: 2 页 / 131 K
品牌: CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
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2N2323
2N2324
2N2325
2N2326
2N2327
2N2328
2N2329
中央
TM
半导体公司
可控硅整流器
1.6安培, 25 THRU 400伏
描述:
中央SEMICONDUCTOR 2N2322
串联类型的气密密封的硅
专为感应控制整流器
电路的应用和控制系统。
标记:全部型号
TO- 39案例
最大额定值:
( TC = 25° C除非另有说明)
SYMBOL 22
23
重复峰值正向电压
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
RMS通态电流
平均通态电流( TC = 85°C )
峰值一个周期浪涌( T = 8.3ms的)
峰值功率门
平均功耗门
栅极峰值电流
峰值栅极电压
结温
储存温度
VDRM
VRRM
VRSM
IT ( RMS )
IT ( AV )
ITSM
PGM
PG (AV)
IGM
VGM
TJ
TSTG
25
25
40
50
50
75
2N23__
24
100
100
150
25
150
150
225
26
200
200
300
27
250
250
350
28
300
300
400
29个单位
400
400
500
V
V
V
A
A
A
W
W
A
V
°C
°C
1.6
1.0
15
0.10
0.01
0.10
6.0
-65到+125
-65到+150
电气特性:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
最大
IDRM , IRRM
IGT
IH
VGT
VTM
额定VDRM , VRRM , RGK = 1.0KΩ
VD = 6.0V , RL = 100Ω
VD = 6.0V , RGK = 1.0kΩ
VD = 6.0V , RL = 100Ω
ITM = 1.0A , TP = 380μs
5.0
200
2.0
0.8
1.5
单位
μA
μA
mA
V
V
R0 ( 11 - 2008年12月)