小信号NPN晶体管
TO- 72案例
型号
描述
VCBO VCEO VEBO ICBO @ VCB
(V)
民
(V)
民
15
15
15
60
15
13
15
15
12
15
(V)
民
3.0
3.0
3.0
15
2.5
3.0
2.0
2.5
2.5
2.5
µ
(µA)
最大
0.001
--
0.01
0.01
0.01
0.01
0.02
0.01
0.02
0.01
15
--
15
90
15
15
1.0
15
15
15
(V)
的hFE
@ IC @ VCE
（MA ）
(V)
VCE （ SAT ） @ IC
(V)
最大
（MA ）
fT
（兆赫）
民
COB
*了Ccb
（PF ）
最大
1.7
1.7
1.7
30
1.0*
2.5
1.0*
1.0*
1.0*
1.5*
民
20
20
20
最大
--
200
--
3.0
3.0
3.0
10
3.0
4.0
2.0
3.0
3.0
25
1.0
10
1.0
5.0
1.0
10
8.0
1.0
1.0
1.0
2N917
2N917A
2N918
2N998
2N2857
2N2865
2N3478
2N3839
2N5179
BFY90
RF / IF振荡器
RF / IF振荡器
RF / IF振荡器
达林顿
VHF / UHF OSC
RF / IF振荡器
VHF / UHF低噪声
VHF / UHF幅度/ OSC
VHF / UHF幅度/ OSC
VHF / UHF幅度/ OSC
30
30
30
100
30
25
30
30
20
30
0.5
--
0.4
1.8
--
0.4
--
--
0.4
--
3.0
--
10
100
--
10
--
--
10
--
500
600
600
60
1,000
600
750
1,000
900
1,000
1,600 8,000
30
20
25
30
25
20
150
200
150
150
250
125
阴影部分表示达林顿。
双晶体管
TO- 71案例
PD @ TA = 25
o
C = 360MW总（双双殒命平等权）
型号
描述
VCBO VCEO VEBO ICBO @ VCB
(V)
(V)
(V)
（ nA的）
(V)
民
CEN741
CEN832
NPN低噪声
PNP低噪声
45
60
民
45
60
民
6.0
5.0
最大
10
10
45
50
的hFE
民
150
150
最大
600
450
0.01
1.0
5.0
5.0
@ IC @ VCE VCE （ SAT ） @ IC
（毫安） （V ）
(V)
（MA ）
最大
0.35
0.25
1.0
1.0
匹配
的hFE
%
20
20
VBE
（毫伏）
5.0
5.0
69
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
