2N2906
2N2907
2N2906A
2N2907A
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
PNP硅晶体管
描述：
中央SEMICONDUCTOR 2N2906 ， 2N2907
系列类型PNP硅外延平面型晶体管
设计用于小信号，通用交换
应用程序。
标记：全部型号
TO- 18 CASE
2N2906
2N2907
60
40
5.0
600
400
1.8
-65到+200
438
97
2N2906A
2N2907A
60
60
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
功率耗散（ TC = 25°C ）
工作和存储结温
热阻
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
Θ
JC
单位
V
V
V
mA
mW
W
°C
° C / W
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
2N2906
2N2907
符号
测试条件
民
最大
ICBO
VCB=50V
-
20
ICBO
VCB = 50V ， TA = 150℃
-
20
ICEV
VCE = 30V ， VEB = 0.5V
-
50
BVCBO
IC=10μA
60
-
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
fT
COB
兴业银行
吨
花花公子
IC=10mA
IE=10μA
IC = 150毫安， IB = 15毫安
IC = 500毫安， IB = 50毫安
IC = 150毫安， IB = 15毫安
IC = 500毫安， IB = 50毫安
VCE = 20V ， IC = 50mA时F = 100MHz的
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
VEB = 2.0V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
VCC = 30V ， IC = 150毫安， IB1 = 15毫安
VCC = 6.0V ， IC = 150毫安， IB1 = IB2 = 15毫安
40
5.0
-
-
-
-
200
-
-
-
-
-
-
0.4
1.6
1.3
2.6
-
8.0
30
45
100
2N2906A
2N2907A
民
最大
-
10
-
10
-
50
60
-
60
5.0
-
-
-
-
200
-
-
-
-
-
-
0.4
1.6
1.3
2.6
-
8.0
30
45
100
单位
nA
μA
nA
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
pF
ns
ns
R4 （ 2012年30月）
CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
