2N3637
PNP硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央SEMICONDUCTOR 2N3637是PNP
硅晶体管，安装在一密封的
TO- 39封装，专为通用放大器
和高电压开关应用。
标记：全部型号
TO- 39案例
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
功率耗散（ TC = 25°C ）
工作和存储结温
热阻
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
Θ
JC
另有说明）
民
175
175
5.0
1.0
1.0
5.0
-65到+200
175
35
单位
V
V
V
A
W
W
°C
° C / W
° C / W
电气特性：
（ TA = 25℃ ，除非
符号
测试条件
ICBO
VCB=100V
IEBO
VEB=3.0V
BVCBO
IC=100μA
BVCEO
IC=10mA
BVEBO
IE=10μA
VCE （ SAT ）
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
VCE （ SAT ）
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
VBE （ SAT ）
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
VBE （ SAT ）
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
的hFE
VCE = 10V ， IC = 0.1毫安
的hFE
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安
的hFE
VCE = 10V ， IC = 10毫安
的hFE
VCE = 10V ， IC = 50毫安
的hFE
VCE = 10V ， IC = 150毫安
fT
VCE = 30V ， IC = 30mA时F = 100MHz的
COB
VCB = 20V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
兴业银行
VEB = 1.0V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
吨
VCC = 100V ， VBE = 4.0V ， IC = 50mA时
IB1=IB2=5.0mA
花花公子
VCC = 100V ， VBE = 4.0V ， IC = 50mA时
IB1=IB2=5.0mA
最大
100
50
175
175
5.0
0.3
0.5
0.8
0.9
0.65
80
90
100
100
50
200
单位
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
300
兆赫
pF
pF
ns
ns
10
75
400
600
R0 （2010年22月）
CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
