2N6546
2N6547
NPN硅
功率晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央SEMICONDUCTOR 2N6546 ， 2N6547
类型NPN硅功率晶体管设计
高电压，大电流，应用程序。
标记：全部型号
TO- 3 CASE
最大额定值：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
集电极 - 发射极电压
VCEV
集电极 - 发射极电压
VCEX
集电极 - 发射极电压
VCEO
发射极 - 基极电压
VEBO
连续集电极电流
IC
峰值集电极电流
ICM
连续发射极电流
IE
峰值发射极电流
IEM
连续基极电流
IB
峰值电流基地
IBM
功耗
PD
功耗， TC = 100℃
PD
工作和存储结温
TJ ， TSTG
热阻
JC
2N6546
650
350
300
2N6547
850
450
400
9.0
15
30
25
50
10
20
175
100
-65到+200
1.0
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
W
W
°C
° C / W
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
2N6546
符号
测试条件
最小最大
ICEV
VCE =额定VCEV ， VBE = 1.5V
-
1.0
ICEV
VCE =额定VCEV ， VBE = 1.5V ， TC = 100℃
-
4.0
ICER
VCE =额定VCEV ， RBE = 50Ω ， TC = 100℃
-
5.0
IEBO
VEB=9.0V
-
1.0
BVCEX
VCL =额定VCEX ， IC = 8.0A ， TC = 100℃
350
-
BVCEX
VCL =额定VCEO - 100V ， IC = 15A ， TC = 100℃
200
-
BVCEO
IC=100mA
300
-
VCE （ SAT ） IC = 10A ， IB = 2.0A
-
1.5
VCE （ SAT ） IC = 10A ， IB = 2.0A ， TC = 100℃
-
2.5
VCE （ SAT ） IC = 15A ， IB = 3.0A
-
5.0
VBE （ SAT ） IC = 10A ， IB = 2.0A
-
1.6
VBE （ SAT ） IC = 10A ， IB = 2.0A ， TC = 100℃
-
1.6
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 5.0A
12
60
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 10A
6.0
30
2N6547
最小最大
-
1.0
-
4.0
-
5.0
-
1.0
450
-
300
-
400
-
-
1.5
-
2.5
-
5.0
-
1.6
-
1.6
12
60
6.0
30
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
R2 （ 2011年12月）
CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
