BAS56
DUAL HIGH CURRENT
开关二极管
中央
描述：
TM
半导体公司
SOT- 143案例
最大额定值
(TA=25
o
C)
中央半导体BAS56
类型是超高速硅开关
由外延平面制二极管
过程中，在环氧模塑表面贴装
包带隔离的双二极管，设计
对于高电流，高速开关
应用程序。
标记代码为L51 。
连续反向电压
反向重复峰值电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
正向浪涌电流， TP = 1
微秒。
正向浪涌电流， TP = 1秒。
功耗
工作和存储
结温
热阻
符号
VR
VRRM
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
60
60
200
600
4000
1000
350
-65到+150
357
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
o
C
o
C / W
电气特性
(TA=25
o
C除非另有说明）
符号
IR
IR
IR
VF
VF
VF
CT
TRR
Qs
VFR
VFR
测试条件
民
VR=60V
VR = 60V ， TA = 150
o
C
VR=75V
IF=10mA
IF=200mA
IF=500mA
VR = 0中，f = 1 MHz的
IF = IR = 400毫安， RL = 100Ω ，建议。至40mA
IF = 10毫安， VR = 5.0V ， RL = 500Ω
IF = 400毫安， TR = 30ns的
IF = 400毫安， TR = 100ns的
最大
100
100
10
0.75
1.00
1.25
2.5
6.0
50
1.2
1.5
单位
nA
µA
µA
V
V
V
pF
ns
pC
V
V
60
CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
