BC856系列
BC857系列
BC858系列
表面贴装
PNP硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体BC856 ，
BC857和BC858系列类型PNP硅
由外延平面制造的晶体管
过程中，环氧树脂模制在一个表面安装型
封装，设计用于通用开关
和放大器应用。
标识代码：请参阅标记
代码表下页
SOT- 23 CASE
最大额定值
(TA=25°C)
符号
集电极 - 基极电压
VCBO
集电极 - 发射极电压
VCEO
发射极 - 基极电压
VEBO
集电极电流
IC
峰值集电极电流
ICM
峰值电流基地
IBM
功耗
PD
工作和存储
结温
TJ ， TSTG
热阻
Θ
JA
BC858
30
30
注：反向铅代码可用，添加“R”来
的零件号结束，标识代码。
BC857
50
45
5.0
100
200
200
350
-65到+150
357
BC856
80
65
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
ICBO
VCB = 30V
ICBO
VCB = 30V ， TA = 150℃
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC = 10μA （ BC858 ）
30
BVCBO
IC = 10μA （ BC857 ）
50
BVCBO
IC = 10μA （ BC856 ）
80
BVCEO
IC = 10毫安（ BC858 ）
30
BVCEO
IC = 10毫安（ BC857 ）
45
BVCEO
IC = 10毫安（ BC856 ）
65
BVEBO
IE=10µA
5.0
VCE （ SAT ）
IC = 10毫安， IB = 0.5毫安
VCE （ SAT ）
IC = 100mA时IB = 5.0毫安
IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V
0.6
VBE （ON）的
VBE （ON）的
IC = 10毫安， VCE = 5.0V
fT
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
100
NF
VCE = 5.0V ， IC = 200μA ，
RS = 2KΩ中，f = 1KHz时， BW = 200Hz的
BC856A
BC857A
BC858A
民
最大
125
250
典型值
最大
15
4.0
100
0.3
0.65
0.75
0.82
单位
nA
µA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
dB
10
BC856B
BC857B
BC858B
民
最大
220
475
的hFE
VCE = 5.0V ， IC = 2.0毫安
BC857C
BC858C
民
最大
420
800
R1 （ 2004年10月）
CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
