BC856T系列
BC857T系列
表面贴装
PNP硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体BC856T和
BC857T系列类型PNP硅晶体管
通过外延平面工艺，环氧树脂制
在一个表面贴装模压封装，专为
通用开关和放大器应用。
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SOT- 523案例
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IBM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
BC857T
50
45
BC856T
80
65
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
° C / W
5.0
100
200
100
250
-65到+150
500
电气特性：
（ TA = 25℃ ，除非
符号
测试条件
ICBO
VCB=30V
ICBO
VCB = 30V ， TA = 150℃
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC = 10μA （ BC857T ）
BVCBO
IC = 10μA （ BC856T ）
BVCEO
IC = 10毫安（ BC857T ）
BVCEO
IC = 10毫安（ BC856T ）
BVEBO
IE=10μA
VCE （ SAT ）
IC = 10毫安， IB = 0.5毫安
VCE （ SAT ）
IC = 100mA时IB = 5.0毫安
VBE （ON）的
IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V
VBE （ON）的
IC = 10毫安， VCE = 5.0V
fT
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
Cc
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
Ce
VEB = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
NF
VCE = 5.0V ， IC = 200μA ，
RS = 2.0KΩ ， F = 1.0KHz ， BW = 200Hz的
另有说明）
民
典型值
最大
15
5.0
100
50
80
45
65
5.0
0.20
0.40
0.70
0.77
2.5
10
10
BC856BT
BC857BT
民
最大
220
475
0.58
100
单位
nA
μA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
pF
dB
的hFE
VCE = 5.0V ， IC = 2.0毫安
BC856AT
BC857AT
民
最大
125
250
BC857CT
民
最大
420
800
R1 （ 2009年20月）
CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
