BC856W系列
BC857W系列
表面贴装
PNP硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体BC856W和
BC857W系列类型PNP硅晶体管
通过外延平面工艺，环氧树脂制
模制在一个超小
TM
表面贴装封装，
专为通用开关和放大器
应用程序。
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SOT- 323案例
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
功耗
工作和存储结温
热阻
电动
符号
ICBO
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCBO
BVCEO
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
VBE （ON）的
兴业银行
COB
fT
NF
注：反向铅代码可用，添加“R”来
的零件号结束，标识代码。
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IBM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
BC857W
50
45
BC856W
80
65
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
° C / W
单位
nA
μA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
pF
pF
兆赫
dB
BC857CW
民
最大
420
800
5.0
100
200
200
275
-65到+150
455
最大
15
4.0
100
特性：
（ TA = 25℃ ，除非
测试条件
VCB=30V
VCB = 30V ， TA = 150℃
VEB=5.0V
IC = 10μA （ BC857W ）
IC = 10μA （ BC856W ）
IC = 10毫安（ BC857W ）
IC = 10毫安（ BC856W ）
IE=10μA
IC = 10毫安， IB = 0.5毫安
IC = 100mA时IB = 5.0毫安
IC = 100mA时IB = 5毫安
IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V
IC = 10毫安， VCE = 5.0V
VEB = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
VCE = 5.0V ， IC = 200μA ，
RS = 2.0KΩ ， F = 1.0KHz ， BW = 200Hz的
另有说明）
民
50
80
45
65
5.0
0.30
0.65
0.95
0.75
0.82
12
5.0
0.60
100
10
BC856BW
BC857BW
民
最大
220
475
的hFE
VCE = 5.0V ， IC = 2.0毫安
BC856AW
BC857AW
民
最大
125
250
R1 （ 2009年20月）
CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
