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BCV47 参数 Datasheet PDF下载

BCV47图片预览
型号: BCV47
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内容描述: NPN硅达林顿晶体管 [NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管达林顿晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 103 K
品牌: CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
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BCV47
NPN
硅达林顿晶体管
中央
TM
半导体公司
描述:
中央半导体BCV47类型
一个硅NPN达林顿晶体管制造
通过外延平面工艺,环氧树脂模制在一个
表面贴装封装,专为应用程序
需要极高的增益。
标识代码为FG 。
SOT- 23 CASE
最大额定值
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
TJ , TSTG
Θ
JA
-65到+150
357
°C
° C / W
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
80
60
10
500
800
100
350
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
ICBO
IEBO
BVCEO
BVCBO
BVEBO
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
的hFE
的hFE
的hFE
fT
VCB=30V
VBE=10V
IC=10mA
IC=10µA
IE=100nA
IC = 100mA时IB = 0.1毫安
IC = 100mA时IB = 0.1毫安
VCE = 5.0V , IC = 1.0毫安
VCE = 5.0V , IC = 10毫安
VCE = 5.0V , IC =百毫安
VCE = 5.0V , IC = 30mA时F = 100MHz的
60
80
10
典型值
最大
100
100
单位
nA
nA
V
V
V
1.0
1.5
2,000
4,000
10,000
220
V
V
兆赫
R0 ( 2001年07月)