BCW61B
BCW61C
BCW61D
表面贴装
PNP硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体BCW61B
系列类型PNP硅晶体管
通过外延平面工艺制造的
环氧模制在表面安装封装，
设计为低电平，低噪声的应用。
标记代码： BCW61B ： BB
BCW61C ：BC
BCW61D ： BD
SOT- 23 CASE
最大额定值
(TA=25°C)
符号
集电极 - 发射极电压
VCEO
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
VCBO
VEBO
IC
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
单位
V
V
V
mA
mW
°C
° C / W
32
32
5.0
100
350
-65到+150
357
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
冰
冰
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
COB
NF
吨
吨
测试条件
民
VCE=32V
VCE = 32V ， TA = 150℃
IC=2.0mA
32
IE=1.0µA
5.0
IC = 10毫安， IB = 250μA
IC = 50mA时IB = 1.25毫安
IC = 10毫安， IB = 250μA
0.60
IC = 50mA时IB = 1.25毫安
0.68
VCE = 5.0V ， IC = 2.0毫安
0.60
VCB = 10V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
VCE = 5.0V ， IC = 0.2毫安， RS = 2.0kΩ ， F = 1.0kHz ， BW = 200Hz的
VCC = 10V ， IC = 10毫安， RL = 990Ω ， IB1 = IB2 = 1.0毫安
VCC = 10V ， IC = 10毫安， RL = 990Ω ， IB1 = IB2 = 1.0毫安
BCW61B
民
最大
30
140
310
80
175
350
最大
20
20
单位
nA
µA
V
V
V
V
V
V
V
pF
ns
ns
BCW61D
民
最大
100
380
630
100
350
700
0.25
0.55
0.85
1.05
0.75
6.0
6.0分贝
150
800
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
VCE=1.0V,
VCE=5.0V,
IC=10µA
IC=2.0mA
IC=50mA
IC = 2.0毫安， F = 1.0kHz
BCW61C
民
最大
40
250
460
100
250
500
R1 （2003年20月）
CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
