BCW65系列
BCW66系列
表面贴装
NPN硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体BCW65和
BCW66系列类型NPN硅晶体管
通过外延平面工艺，环氧树脂制
在一个表面贴装模压封装，专为
通用开关和放大器应用。
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SOT- 23 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
连续基极电流
峰值电流基地
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
BCW65
60
32
5.0
800
1.0
100
200
350
-65到+150
357
最大
20
20
20
BCW66
75
45
单位
V
V
V
mA
A
mA
mA
mW
°C
° C / W
单位
nA
µA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
pF
BCW65C
BCW66H
最小最大
80
180
250
630
100
电气特性：
（ TA = 25℃ ，除非
符号
测试条件
ICBO
VCB =额定VCEO
ICBO
VCB =额定VCEO ， TA = 150℃
IEBO
VEB=4.0V
BVCBO
IC = 10μA （ BCW65 ）
BVCBO
IC = 10μA （ BCW66 ）
BVCEO
IC = 10毫安（ BCW65 ）
BVCEO
IC = 10毫安（ BCW66 ）
BVEBO
IE=10µA
VCE （ SAT ）
IC = 100mA时IB = 10毫安
VCE （ SAT ）
IC = 500毫安， IB = 50毫安
VBE （ SAT ）
IC = 100mA时IB = 10毫安
VBE （ SAT ）
IC = 500毫安， IB = 50毫安
fT
VCE = 5.0V ， IC = 50mA时F = 20MHz的
Cc
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
Ce
VEB = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
另有说明）
民
典型值
60
75
32
45
5.0
0.3
0.7
1.25
2.0
170
6.0
60
BCW65B
BCW66G
民
最大
50
110
160
400
60
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
VCE = 10V ， IC = 100μA
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
VCE = 1.0V ， IC =百毫安
VCE = 2.0V ， IC = 500毫安
BCW65A
BCW66F
民
最大
35
75
100
250
35
R2 （ 2009年20月）
CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
