BCW67系列
BCW68系列
表面贴装
PNP硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体BCW67和BCW68
系列类型PNP硅晶体管制造
通过外延平面工艺，环氧树脂模制在一个
表面贴装封装，设计用于通用
开关和放大器应用。
标记验证码：看标识代码表
下页
SOT- 23 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
Conitinuous集电极电流
峰值集电极电流
连续基极电流
峰值电流基地
功耗
工作和存储结温
热阻
电动
符号
ICBO
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCBO
BVCEO
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
fT
Cc
Ce
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
BCW67
45
32
BCW68
60
45
单位
V
V
V
mA
A
mA
mA
mW
°C
° C / W
单位
nA
µA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
pF
BCW67C
BCW68H
最小最大
80
180
250
630
100
5.0
800
1.0
100
200
350
-65到+150
357
最大
20
20
20
特性：
（ TA = 25℃ ，除非
测试条件
VCB =额定VCEO
VCB =额定VCEO ， TA = 150℃
VEB=4.0V
IC = 10μA （ BCW67 ）
IC = 10μA （ BCW68 ）
IC = 10毫安（ BCW67 ）
IC = 10毫安（ BCW68 ）
IE=10µA
IC = 100mA时IB = 10毫安
IC = 500毫安， IB = 50毫安
IC = 100mA时IB = 10毫安
IC = 500毫安， IB = 50毫安
VCE = 5.0V ， IC = 50mA时F = 20MHz的
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
VEB = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
另有说明）
民
典型值
45
60
32
45
5.0
0.3
0.7
1.25
2.0
200
6.0
60
BCW67B
BCW68G
民
最大
50
120
160
400
60
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
VCE = 10V ， IC = 100μA
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
VCE = 1.0V ， IC =百毫安
VCE = 2.0V ， IC = 500毫安
BCW67A
BCW68F
最小最大
35
75
100
250
35
R2 （ 2009年20月）
CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
