BCX51
BCX52
BCX53
表面贴装
PNP硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体BCX51 ，
BCX52 ， BCX53和类型PNP硅
由外延平面制造的晶体管
过程中，环氧树脂模制在一个表面安装型
包，专为高电流一般
目的放大器应用。
SOT- 89 CASE
最大额定值
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
功耗
工作和存储
结温
热阻
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
BCX51
45
45
BCX52
60
60
5.0
1.0
1.5
100
200
1.2
-65到+150
104
BCX53
100
80
单位
V
V
V
A
A
mA
mA
W
°C
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
ICBO
VCB=30V
ICBO
VCB = 30V ， TA = 125°C
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC = 100μA （ BCX51 ）
45
BVCBO
IC = 100μA （ BCX52 ）
60
BVCBO
IC = 100μA （ BCX53 ）
100
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX51 ）
45
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX52 ）
60
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX53 ）
80
VCE （ SAT ）
IC = 500毫安， IB = 50毫安
VBE （ON）的
VCE = 2.0V ， IB = 500毫安
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 5.0毫安
63
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
63
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
（ BCX51-10 ， BCX52-10 ， BCX53-10 ）
63
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
（ BCX51-16 ， BCX52-16 ， BCX53-16 ）
100
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 500毫安
40
fT
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
50
最大
100
10
100
0.5
1.0
250
160
250
单位
nA
µA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
R1 （ 2001年18月）
CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
