BCX54
BCX55
BCX56
表面贴装
NPN硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体BCX54 ，
BCX55 ， BCX56和类型是NPN硅
由外延平面制造的晶体管
过程中，环氧树脂模制在一个表面安装型
包，专为高电流一般
目的放大器应用。
SOT- 89 CASE
最大额定值
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
功耗
工作和存储
结温
热阻
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
BCX54
45
45
BCX55
60
60
5.0
1.0
1.5
100
200
1.2
-65到+150
104
BCX56
100
80
单位
V
V
V
A
A
mA
mA
W
°C
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
ICBO
VCB=30V
ICBO
VCB = 30V ， TA = 125°C
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC = 100μA （ BCX54 ）
45
BVCBO
IC = 100μA （ BCX55 ）
60
BVCBO
IC = 100μA （ BCX56 ）
100
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX54 ）
45
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX55 ）
60
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX56 ）
80
VCE （ SAT ）
IC = 500毫安， IB = 50毫安
VBE （ON）的
VCE = 2.0V ， IB = 500毫安
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 5.0毫安
63
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
63
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
（ BCX54-10 ， BCX55-10 ， BCX56-10 ）
63
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
（ BCX54-16 ， BCX55-16 ， BCX56-16 ） 100
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 500毫安
40
fT
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
130
最大
100
10
100
0.5
1.0
250
160
250
单位
nA
µA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
R1 （ 2001年18月）
CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
