BD137 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BD137
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内容描述：	NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 175 K
品牌：	CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]

BD135

BD137

BD139

NPN硅晶体管

中央

半导体公司

描述：

中央半导体BD135 ，

BD137 ， BD139和是NPN硅外延

设计用于音频放大器的平面晶体管

和切换应用程序。

标记：全部型号

TO- 126 CASE

最大额定值：

(TC=25°C)

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值集电极电流

连续基极电流

峰值电流基地

功耗（ Tmb≤70 ° C）

功耗（ TA = 25 ° C）

工作和存储结温

热阻

SYMBOL BD135

VCBO

VCEO

VEBO

ICM

IBM

TJ ， TSTG

JMB

BD137

5.0

1.5

2.0

0.5

1.0

8.0

1.25

-65到+150

100

BD139

100

单位

°C

° C / W

单位

µA

的hFE

BVCEO

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

电气特性：

（ TC = 25° C除非另有说明）

符号

测试条件

民

典型值

ICBO

VCB=30V

ICBO

VCB = 30V ， TC = 125°C

IEBO

VEB=5.0V

BVCEO

IC = 30毫安（ BD135 ）

BVCEO

IC = 30毫安（ BD137 ）

IC = 30毫安（ BD139 ）

IC = 500毫安， IB = 50毫安

VCE = 2.0V ， IC = 500毫安

IC=5.0mA

IC=150mA

IC=500mA

最大

100

0.5

1.0

190

BD135-10

BD137-10

BD139-10

民

最大

160

BD135-16

BD137-16

BD139-16

民

最大

100

250

VCE = 5.0V ， IC = 50mA时F = 100MHz的

VCE=2.0V,

兆赫

符号

的hFE

测试条件

VCE = 2.0V ， IC = 500毫安

R3 （ 2009年18月）

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