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BD439 参数 Datasheet PDF下载

BD439图片预览
型号: BD439
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内容描述: 互补硅功率晶体管 [COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 515 K
品牌: CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
 浏览型号BD439的Datasheet PDF文件第2页  
BD439 BD441
BD440 BD442
NPN
PNP
中央
TM
半导体公司
描述:
中央半导体BD439 , BD440
系列类型是互补硅功率
晶体管,通过外延碱处理制造的
专为中等功率,低速切换
应用程序。
标记:全部型号
其他芯片
功率晶体管
TO- 126 CASE
最大额定值:
(TC=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流( t≤10ms )
基极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
热阻
电气特性:
(TC=25°C)
符号
测试条件
ICBO
VCB =额定VCBO
IEBO
BVCEO
BVCEO
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
fT
VCE =额定VCEO
VEB=5.0V
IC = 100毫安( BD439 , BD440 )
IC = 100毫安( BD441 , BD442 )
IC = 2.0A , IB = 200毫安
VCE = 1.0V , IC = 2.0A
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
IC = 10毫安( BD439 , BD440 )
IC = 10毫安( BD441 , BD442 )
20
15
40
25
15
3.0
兆赫
60
80
0.8
1.5
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
Θ
JC
BD439
BD440
60
60
60
5.0
4.0
7.0
1.0
36
-65到+150
100
3.5
BD441
BD442
80
80
80
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
° C / W
° C / W
最大
100
100
1.0
单位
μA
μA
mA
V
V
V
V
VCE = 1.0V , IC = 500毫安
VCE = 1.0V , IC = 2.0A ( BD439 , BD440 )
VCE = 1.0V , IC = 2.0A ( BD441 , BD442 )
VCE = 1.0V , IC = 250毫安
R1 ( 2009年2月)