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BZX85C5V6 参数 Datasheet PDF下载

BZX85C5V6图片预览
型号: BZX85C5V6
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内容描述: 表面贴装的1.3W硅稳压二极管3.3伏THRU 33伏 [SURFACE MOUNT 1.3W SILICON ZENER DIODE 3.3 VOLTS THRU 33 VOLTS]
分类和应用: 稳压二极管齐纳二极管测试高压
文件页数/大小: 2 页 / 511 K
品牌: CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
 浏览型号BZX85C5V6的Datasheet PDF文件第2页  
BZX85C3V3
THRU
BZX85C33
表面贴装
1.3W硅稳压二极管
3.3伏THRU 33伏
中央
TM
半导体公司
描述:
中央半导体BZX85C3V3
系列硅稳压二极管。这些高
质量电压调节二极管被设计为
工业,商业,娱乐使用,
计算机应用。
标记:全部型号
符号
PD
TJ , TSTG
单位
W
°C
DO- 41 CASE
最大额定值:
(TA=25°C)
功耗
工作和存储温度
1.3
-65到+200
电气特性:
( TA = 25 ℃) VF = 1.2V MAX @ IF = 200毫安(所有类型)
齐纳电压
TYPE
(V)
BZX85C3V3
BZX85C3V6
BZX85C3V9
BZX85C4V3
BZX85C4V7
BZX85C5V1
BZX85C5V6
BZX85C6V2
BZX85C6V8
BZX85C7V5
BZX85C8V2
BZX85C9V1
BZX85C10
BZX85C11
BZX85C12
3.1
3.4
3.7
4.1
4.5
4.8
5.3
5.9
6.5
7.1
7.8
8.6
9.5
10.5
11.4
VZ @ IZT
(V)
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
最大
(V)
3.5
3.8
4.1
4.5
4.9
5.4
5.9
6.5
7.1
7.9
8.6
9.6
10.5
11.6
12.6
IZT
(MA )
80
60
60
50
45
45
45
35
35
35
25
25
25
20
20
ZZT @ IZT
(Ω)
20
15
15
13
13
10
7.0
4.0
3.5
3.0
5.0
5.0
7.0
8.0
9.0
ZZK @ IZK
(Ω)
(MA )
400
500
500
500
600
500
400
300
300
200
200
200
200
300
350
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
TEST
当前
最大齐纳
阻抗
最大
反向
当前
IR @ VR
(μA)
(V)
60
30
5.0
3.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
3.0
4.0
4.5
5.0
6.5
7.0
7.7
8.4
最大
反向
浪涌
当前
IRSM
(MA )
1,380
1,260
1,190
1,070
970
890
810
730
660
605
550
500
454
414
380
最大
齐纳
当前
IZM
(MA )
276
252
234
217
193
178
162
146
133
121
110
100
91
83
76
公差代号
A
B
C
公差
±1%
±2%
±5%
产品型号标识
B Z X 85 C 4V7
标称值码(即4.7伏)
公差代号
设备系列
R0 ( 2009年12月)