CZT2000 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CZT2000
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内容描述：	NPN硅极高的电压达林顿晶体管 [NPN SILICON EXTREMELY HIGH VOLTAGE DARLINGTON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管达林顿晶体管高压
文件页数/大小：	2 页 / 95 K
品牌：	CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]

CZT2000

NPN硅

极高的电压

达林顿晶体管

中央

描述：

半导体公司

中央半导体CZT2000

类型是一个NPN外延平面硅

达林顿晶体管的制造

环氧模塑表面贴装封装，

专为要求极高的应用

高电压和高增益的能力。

SOT- 223案例

最大额定值

(TA=25

符号

VCBO

VCES

VEBO

TJ ， TSTG

单位

C / W

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

工作和存储

结温

热阻

200

600

2.0

-65到+150

62.5

电气特性

(TA=25

C除非另有说明）

符号

ICBO

IEBO

BVces

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

的hFE

测试条件

VCB=180V

VBE=10V

IC=1.0mA

IC = 20mA时， IB = 25μA

IC = 80毫安， IB = 40μA

IC = 160毫安， IB = 100μA

VCE = 5.0V ， IC = 160毫安

VCE = 5.0V ， IC = 100μA

VCE = 5.0V ， IC = 10毫安

VCE = 5.0V ， IC = 160毫安

民

最大

500

100

0.9

1.1

1.2

2.0

3,000

单位

200

298

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