CZT5551 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CZT5551
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内容描述：	NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小：	2 页 / 96 K
品牌：	CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]

CZT5551

NPN硅晶体管

中央

描述：

半导体公司

中央半导体CZT5551

类型是NPN硅晶体管制造

通过外延平面工艺，环氧树脂模塑

在一个表面贴装封装，专为高

电压放大器的应用。

SOT- 223案例

最大额定值

(TA=25

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

工作和存储

结温

热阻

符号

VCBO

VCEO

VEBO

TJ ， TSTG

180

160

6.0

600

2.0

-65到+150

62.5

单位

C / W

电气特性

(TA=25

C除非另有说明）

符号

ICBO

IEBO

BVCBO

BVCEO

BVEBO

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

的hFE

测试条件

VCB=120V

VCB = 120V ， TA = 100

VEB=4.0V

IC=100µA

IC=1.0mA

IE=10µA

IC = 10毫安， IB = 1.0毫安

IC = 50mA时IB = 5.0毫安

IC = 10毫安， IB = 1.0毫安

IC = 50mA时IB = 5.0毫安

VCE = 5.0V ， IC = 1.0毫安

VCE = 5.0V ， IC = 10毫安

VCE = 5.0V ， IC = 50毫安

民

最大

单位

µA

180

160

6.0

0.15

0.20

1.00

250

316

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