MCR703A
MCR706A
MCR704A
MCR708A
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
表面贴装
可控硅整流器
4安培， 100 THRU 600伏
描述：
中央半导体MCR703A ，
MCR704A ， MCR706A和MCR708A是环氧
模制硅控整流器设计
感测电路的应用和控制系统。
标记：全部型号
DPAK晶闸管案例
最大额定值：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
MCR703A MCR704A
重复峰值断态电压
RMS通态电流（ TC = 85°C ）
峰值不重复浪涌电流
（1/2周期的正弦波， 50赫兹/ 60赫兹）
I
2
为融合吨价， T = 10ms的
峰值功率门控， TP =是1.0μs
平均门功耗
栅极峰值电流， TP =是1.0μs
通态电流临界上升率
储存温度
结温
VDRM ， VRRM
IT （ RMS ）
ITSM
I
2
t
PGM
PG （AV）
IGM
的di / dt
TSTG
TJ
100
200
4.0
15
1.1
0.5
0.1
0.2
50
MCR706A MCR708A单位
400
600
V
A
A
A
2
s
W
W
A
A / μs的
°C
°C
-40到+150
-40到+125
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
IDRM ， IRRM
IDRM ， IRRM
IGT
IH
VGT
VTM
dv / dt的
额定VDRM ， VRRM ， RGK = 1.0KΩ
额定VDRM ， VRRM ， RGK = 1.0KΩ ， TC = 125°C
VD = 12V ，RL = 10Ω
IT = 50mA时RGK = 1.0KΩ
VD = 12V ，RL = 10Ω
ITM = 8.0A ， TP = 380μs
VD =
2
/
3
VDRM ， RGK = 1.0KΩ ， TC = 125°C
10
典型值
最大
10
200
单位
μA
μA
μA
mA
V
V
V / μs的
38
0.25
0.55
1.6
75
2.0
0.8
1.8
R1 （2010年1月）
CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
