MMPQ3906
表面贴装
PNP硅
四晶体管
中央
描述：
TM
半导体公司
中央半导体MMPQ3906 ，
包括四个晶体管和可用
SOIC -16表面贴装封装，是专为
通用放大器和开关应用。
SOIC -16 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻（总包）
热电阻（每个晶体管）
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
Θ
JA
40
40
5.0
200
1000
-55到+150
125
240
单位
V
V
V
mA
mW
°C
° C / W
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
ICEV
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
fT
兴业银行
COB
NF
td
tr
ts
tf
测试条件
VCE = 30V ， VEB = 3.0V
IC=10µA
IC=1.0mA
IE=10µA
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
VCE = 1.0V ， IC = 0.1毫安
VCE = 1.0V ， IC = 1.0毫安
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
VCE = 1.0V ， IC = 50毫安
VCE = 1.0V ， IC =百毫安
VCE = 20V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
VEB = 0.5V ， F = 100KHz的
VCB = 5.0V ， F = 100kHz的
VCE = 5.0V ， IC = 100μA ， RS = 1.0kΩ ， F = 10Hz至15.7kHz
VCC = 3.0V ， VBE = 0.5V ， IC = 10毫安， IB1 = 1.0毫安
VCC = 3.0V ， VBE = 0.5V ， IC = 10毫安， IB1 = 1.0毫安
VCC = 3.0V ， IC = 10毫安， IB1 = IB2 = 1.0毫安
VCC = 3.0V ， IC = 10毫安， IB1 = IB2 = 1.0毫安
民
40
40
5.0
0.65
60
80
100
60
30
450
8.0
3.0
2.5
15
20
110
40
0.25
0.40
0.85
0.95
300
兆赫
pF
pF
dB
ns
ns
ns
ns
典型值
最大
50
单位
nA
V
V
V
V
V
V
V
R0 （ 2001年7月）
CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
