MPQ2222
MPQ2222A
NPN硅晶体管QUAD
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体MPQ2222和
MPQ2222A类型都包括四个独立
安装在一个14引脚DIP NPN硅晶体管，
专为通用放大器和开关
应用程序。
标记：全部型号
TO- 116 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗（每个晶体管）
功耗（总包）
工作和存储结温
热阻（总包）
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
MPQ2222
60
40
5.0
MPQ2222A
75
40
6.0
500
650
1.9
-65到+150
66
单位
V
V
V
mA
mW
W
°C
° C / W
PER晶体管电气特性：
(TA=25°C)
MPQ2222
符号
测试条件
民
最大
ICBO
VCB=50V
-
50
ICBO
VCB=60V
-
-
IEBO
VEB=3.0V
-
100
BVCBO
IC=10μA
60
-
BVCEO
IC=10mA
40
-
BVEBO
IE=10μA
5.0
-
VCE （ SAT ）
IC = 150毫安， IB = 15毫安
-
0.4
VCE （ SAT ）
IC = 300毫安， IB = 30毫安
-
1.6
VCE （ SAT ）
IC = 500毫安， IB = 50毫安
-
-
VBE （ SAT ）
IC = 150毫安， IB = 15毫安
-
1.3
VBE （ SAT ）
IC = 300毫安， IB = 30毫安
-
2.6
VBE （ SAT ）
IC = 500毫安， IB = 50毫安
-
-
的hFE
VCE = 10V ， IC = 0.1毫安
-
-
的hFE
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安
-
-
的hFE
VCE = 10V ， IC = 10毫安
75
-
的hFE
VCE = 10V ， IC = 150毫安
100
300
的hFE
VCE = 10V ， IC = 300毫安
30
-
的hFE
VCE = 10V ， IC = 500毫安
-
-
fT
VCE = 20V ， IC = 20mA时， F = 100MHz的
200
-
COB
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
-
8.0
兴业银行
VEB = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
-
30
tr
VCC = 30V ， VBE = 0.5V ， IC = 150毫安， IB1 = 15毫安 -
-
ts
VCC = 30V ， IC = 150毫安， IB1 = IB2 = 15毫安
-
-
MPQ2222A
民
最大
-
-
-
10
-
100
75
-
40
-
6.0
-
-
0.3
-
-
-
1.0
0.6
1.2
-
-
-
2.0
35
-
50
-
75
-
100
300
-
-
40
-
200
-
-
8.0
-
30
-
35
-
285
单位
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
pF
ns
ns
R2 （ 2012年30月）
CENTRAL [ CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP ]
