MPQ2906
MPQ2907
PNP硅晶体管QUAD
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央半导体MPQ2906 ,
MPQ2907类型都包括四个独立
安装在一个14引脚DIP PNP硅晶体管,
设计用于小信号,通用放大器
和切换应用程序。
标记:全部型号
TO- 116 CASE
最大额定值:
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗(每个晶体管)
功耗(总包)
工作和存储结温
电动
符号
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE ( SAT )
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
VBE ( SAT )
fT
COB
兴业银行
吨
花花公子
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
PD
TJ , TSTG
单位
V
V
V
mA
mW
W
°C
60
40
5.0
600
650
2.0
-65到+150
特点PER三极管:
(TA=25°C)
测试条件
民
典型值
VCB=30V
VEB=3.0V
IC=10μA
60
IC=10mA
40
IE=10μA
IC = 150毫安, IB = 15毫安
IC = 300毫安, IB = 30毫安
IC = 150毫安, IB = 15毫安
IC = 300毫安, IB = 30毫安
VCE = 20V , IC = 50mA时F = 100MHz的
VCB = 10V , IE = 0 , F = 1.0MHz的
VBE = 2.0V , IC = 0 , F = 1.0MHz的
VCC = 30V , IC = 150毫安, IB1 = 15毫安
VCC = 6.0V , IC = 150毫安, IB1 = IB2 = 15毫安
MPQ2906
民
最大
5.0
最大
50
50
单位
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
pF
ns
ns
0.4
1.6
1.3
2.6
200
8.0
30
30
150
MPQ2907
民
最大
75
100
50
-
-
-
的hFE
的hFE
的hFE
VCE=10V,
VCE=10V,
VCE=10V,
IC=10mA
IC=150mA
IC=300mA
35
40
30
-
-
-
R1 ( 2012年30月)