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    CEA6200 参数 Datasheet PDF下载

    CEA6200图片预览
    型号： CEA6200
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 466 K
    品牌： CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
     浏览型号CEA6200的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CEA6200的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CEA6200的Datasheet PDF文件第4页  
    N沟道增强型网络场效晶体管
    特点
    60V ， 1.8A ，R
    DS （ ON）
    = 250mΩ @V
    GS
    = 10V.
    R
    DS （ ON）
    = 330mΩ @V
    GS
    = 4.5V.
    高密度电池设计极低R
    DS （ ON）
    .
    坚固可靠。
    被收购无铅产品。
    SOT- 89封装。
    CEA6200
    初步
    D
    D
    G
    SOT-89
    D
    G
    S
    S
    绝对最大额定值
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流连续
    漏电流脉冲
    a
    T
    A
    = 25°C除非另有说明
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    T
    J
    ,T
    英镑
    极限
    60
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    C
    ±
    20
    1.8
    7.2
    1.3
    -55到150
    最大功率耗散
    操作和存储温度范围
    热特性
    参数
    热阻，结到环境
    b
    符号
    R
    θJA
    极限
    100
    单位
    C / W
    这是在开发新产品的初步信息了。
    详细信息如有变更，恕不另行通知。
    1
    修订版1 2007.June
    http://www.cetsemi.com

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