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CEB01N6 参数 Datasheet PDF下载

CEB01N6图片预览
型号: CEB01N6
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 86 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CEP01N6/CEB01N6
CEI01N6/CEF01N6
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
TYPE
CEP01N6
CEB01N6
CEI01N6
CEF01N6
V
DSS
650V
650V
650V
650V
R
DS ( ON)
15Ω
15Ω
15Ω
15Ω
I
D
1A
1A
1A
1A
e
@V
GS
10V
10V
10V
10V
D
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
TO- 220 & TO- 263 & TO- 262封装& TO- 220F通孔全白了。
D
G
S
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
G
G
D
S
CEI系列
TO-262(I2-PAK)
G
D
S
CEP系列
TO-220
G
D
S
CEF系列
TO-220F
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
单脉冲雪崩能量
d
重复性雪崩电流
操作和存储温度范围
TC = 25℃ ,除非另有说明
极限
符号
TO-220/263/262
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
f
P
D
E
AS
I
AS
T
J
,T
英镑
1
4
36
0.29
60
0.8
650
TO-220F
单位
V
V
±
30
1
e
A
A
W
W / C
mJ
A
C
4
e
28
0.22
-55到150
热特性
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
3.5
62.5
极限
4.5
65
单位
C / W
C / W
版本1 。
2005.December
1
http://www.cetsemi.com