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CEB3070 参数 Datasheet PDF下载

CEB3070图片预览
型号: CEB3070
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 349 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CEP3070/CEB3070
50
40
30
V
GS
=10,8,6,5V
150
120
90
60
25 C
30
T
J
=125 C
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
-55 C
4
5
I
D
,漏电流( A)
V
GS
=4V
20
10
V
GS
=3V
I
D
,漏电流( A)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.输出特性
2400
2000
1600
1200
800
400
0
科斯
CRSS
0
5
10
15
20
25
西塞
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图2.传输特性
I
D
=30A
V
GS
=10V
R
DS (ON ) ,
R
DS ( ON)
,导通电阻(欧姆)
C,电容(pF )
-50
0
50
100
150
200
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
DS
=V
GS
T
J
,结温( C)
图4.导通电阻变化
随温度
I
S
,源极 - 漏极电流( A)
V
GS
=0V
10
2
V
TH
归一化
门源阈值电压
I
D
=250µA
10
1
-25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
,结温( C)
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
3