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CEB3060 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CEB3060
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 410 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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N沟道增强型网络场效晶体管
特点
30V , 105A ,R
DS ( ON)
= 6MΩ @V
GS
= 10V.
R
DS ( ON)
= 8mΩ @V
GS
= 4.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
的TO-220 &的TO- 263封装。
D
CEP3060/CEB3060
D
G
G
D
S
S
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
G
CEP系列
TO-220
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
TC = 25℃ ,除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
30
单位
V
V
A
A
W
W / C
C
±
20
105
420
125
0.83
-55至175
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
极限
1.2
62.5
单位
C / W
C / W
详细信息如有变更,恕不另行通知。
1
冯2. 2007.Oct
http://www.cetsemi.com