CEB60N10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CEB60N10
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 96 K
品牌：	CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]

CEP60N10/CEB60N10

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

100V ， 60A ，R

DS （ ON）

= 23.5mΩ @V

= 10V.

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

高功率和电流移交能力。

被收购无铅产品。

的TO-220 &的TO- 263封装。

初步

CEB系列

TO-263(DD-PAK)

CEP系列

TO-220

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

漏电流脉冲

TC = 25℃ ，除非另有说明

符号

英镑

极限

100

单位

W / C

240

200

1.3

148

-55至175

最大功率耗散@ T

= 25 C

- 减免上述25℃

单脉冲雪崩能量

单脉冲雪崩电流

操作和存储温度范围

热特性

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

符号

θJC

θJA

极限

0.75

62.5

单位

C / W

2004.December

4 - 114

http://www.cetsemi.com

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