CEB6336 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CEB6336
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 414 K
品牌：	CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]

CEP6336/CEB6336

=10,8,6,5V

0.0

25 C

=125 C

0.0

1.5

-55 C

4.5

7.5

，漏电流（ A）

=4.0V

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

，漏电流（ A）

，漏极至源极电压（ V）

图1.输出特性

900

750

600

450

300

150

科斯

CRSS

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

-100

，栅 - 源极电压（ V）

图2.传输特性

=14A

=10V

西塞

DS （ON ），

归

DS （ ON）

，导通电阻（欧姆）

C，电容（pF ）

-50

100

150

200

，漏极至源极电压（ V）

图3.电容

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

，结温（ C）

图4.导通电阻变化

随温度

=0V

归一化

门源阈值电压

，源极 - 漏极电流（ A）

=250µA

-25

100

125

150

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

，体二极管正向电压（ V）

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

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