欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

CEB85A3 参数 Datasheet PDF下载

CEB85A3图片预览
型号: CEB85A3
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 291 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
 浏览型号CEB85A3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CEB85A3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CEB85A3的Datasheet PDF文件第3页  
CEP85A3/CEB85A3
V
GS
,门源电压( V)
10
V
DS
=15V
I
D
=16A
10
3
R
DS ( ON)
极限
I
D
,漏电流( A)
8
100µs
10
2
6
1ms
10ms
DC
1
4
10
2
0
0
6
12
18
24
30
10
0
T
C
=25 C
T
J
=150 C
单脉冲
10
-1
6
10
0
10
1
10
2
QG ,总栅极电荷( NC)
图7.栅极电荷
V
DS
,漏源电压(V )
图8.最大安全
工作区
V
DD
t
on
V
IN
D
V
GS
R
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D(上)
V
OUT
t
D(关闭)
90%
10%
t
f
10%
S
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图9.开关测试电路
图10.开关波形
R(T ) ,归一化有效
瞬态热阻抗
10
0
D=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
1. R
θJA
(吨) = R (t)的R *
θJA
2. R
θJA
=请查阅技术资料
3. T
JM-
T
A
= P * R
θJA
(t)
4.占空比D = T1 / T2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
方波脉冲持续时间(秒)
图11.归瞬态热阻抗曲线
4