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CED12P10 参数 Datasheet PDF下载

CED12P10图片预览
型号: CED12P10
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 162 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CED12P10/CEU12P10
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
b
漏源二极管的正向电压
c
d
d
c
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
GS
= 0V时,我
S
= -9A
V
DS
= -80V ,我
D
= -11A,
V
GS
= -10V
V
DD
= -50V ,我
D
= -11A,
V
GS
= -10V ,R
= 25Ω
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= -250µA
V
DS
= -100V, V
GS
= 0V
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250µA
V
GS
= -10V ,我
D
= -4.7A
V
DS
= -40V ,我
D
= -4.7A
-2
260
3.5
625
140
45
15
12
31
31
15.6
3.6
6.0
-9
-1.5
30
25
60
60
20
-100
-1
100
-100
-4
315
典型值
最大
单位
V
µA
nA
nA
V
mΩ
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
栅极阈值电压
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项:
a.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最高结温。
b.Surface安装在FR4板,T < 10秒。
c.Pulse测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
设计d.Guaranteed ,不受生产测试。
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