欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

CED3120 参数 Datasheet PDF下载

CED3120图片预览
型号: CED3120
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 263 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
 浏览型号CED3120的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CED3120的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CED3120的Datasheet PDF文件第4页  
CED3120/CEU3120
40
V
GS
=10,8,6V
75
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
32
V
GS
=4V
60
24
45
5
25 C
16
30
8
15
V
GS
=3V
0
0
1
2
3
4
0
0
T
J
=125 C
-55 C
1
2
3
4
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.输出特性
1260
1050
2.2
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图2.传输特性
C,电容(pF )
西塞
840
630
420
210
0
0
5
10
15
20
25
科斯
CRSS
R
DS (ON ) ,
R
DS ( ON)
,导通电阻(欧姆)
I
D
=36A
V
GS
=10V
-50
0
50
100
150
200
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
T
J
,结温( C)
图4.导通电阻变化
随温度
V
GS
=0V
2
V
TH
归一化
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
I
S
,源极 - 漏极电流( A)
25
50
75
100
125
150
10
10
1
10
-25
0
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
,结温( C)
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
3