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CEDF634 参数 Datasheet PDF下载

CEDF634图片预览
型号: CEDF634
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 123 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CEDF634/CEUF634
12
V
GS
=10,9,8,7V
10
8
10
1
I
D
,漏电流( A)
V
GS
=6V
6
4
2
I
D
,漏电流( A)
10
0
T
J
=150 C
-55 C
V
GS
=5V
V
GS
=4V
0
0
1
2
3
4
5
6
10
-1
25 C
2
4
6
1.V
DS
=40V
2.Pulse测试
8
10
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.输出特性
1200
1000
800
600
400
200
0
0
10
20
30
40
50
科斯
CRSS
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图2.传输特性
西塞
R
DS (ON ) ,
R
DS ( ON)
,导通电阻(欧姆)
I
D
=5.1A
V
GS
=10V
C,电容(pF )
-50
0
50
100
150
200
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
T
J
,结温( C)
图4.导通电阻变化
随温度
V
GS
=0V
1
V
TH
归一化
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
I
S
,源极 - 漏极电流( A)
10
10
0
10
-25
0
25
50
75
100
125
150
-1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
,结温( C)
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
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