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CEF01N6G 参数 Datasheet PDF下载

CEF01N6G图片预览
型号: CEF01N6G
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 370 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CEP01N6G/CEB01N6G
CEF01N6G
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.0
V
GS
=10,8,7V
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
25 C
0.4
0
T
J
=125 C
1
2
3
4
5
-55 C
6
7
I
D
,漏电流( A)
V
GS
=4V
4
8
12
16
20
24
I
D
,漏电流( A)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.输出特性
300
250
200
150
100
50
0
科斯
CRSS
0
5
10
15
20
25
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图2.传输特性
I
D
=0.6A
V
GS
=10V
西塞
R
DS (ON ) ,
R
DS ( ON)
,导通电阻(欧姆)
C,电容(pF )
-50
0
50
100
150
200
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图3.电容
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
DS
=V
GS
T
J
,结温( C)
图4.导通电阻变化
随温度
I
S
,源极 - 漏极电流( A)
V
GS
=0V
10
0
V
TH
归一化
门源阈值电压
I
D
=250µA
10
-1
-25
0
25
50
75
100
125
150
10
-2
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
T
J
,结温( C)
图5.门阈值变化
随温度
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
3