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CEF02N7 参数 Datasheet PDF下载

CEF02N7图片预览
型号: CEF02N7
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 135 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CEP02N7/CEB02N7
CEI02N7/CEF02N7
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
c
b
TC = 25℃ ,除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
g
V
SD
h
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
V
DS
= 700V, V
GS
= 0V
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250µA
V
GS
= 10V ,我
D
= 1A
V
DS
= 50V ,我
D
= 1A
700
典型值
最大
单位
V
4
25
100
-100
2
5.5
0.7
250
50
30
19
35
50
70
40
20
4
6.6
µA
nA
nA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
栅极阈值电压
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
V
DD
= 300V ,我
D
= 2A,
V
GS
= 10V ,R
= 18Ω
26
34
15
14
2.5
8.6
V
DS
= 480V ,我
D
= 2A,
V
GS
= 10V
漏源二极管特性及最大额定值
1.9
V
GS
= 0V时,我
S
= 2A
1.5
A
V
注意事项:
a.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
D.L = 60mH ,我
AS
= 2.0A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
= 25 C .
e.Limited只有最高温度允许的。
˚F .Pulse宽度有限的安全工作区。
g.Full包我
S( MAX)的
= 1.4A .
h.Full套餐五
SD
测试条件我
S
= 1.5A ,V
的SD (最大)
= 1.6V .
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