欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    CEF10N4 参数 Datasheet PDF下载

    CEF10N4图片预览
    型号： CEF10N4
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 43 K
    品牌： CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
     浏览型号CEF10N4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CEF10N4的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CEF10N4的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CEF10N4的Datasheet PDF文件第5页  
    CEF10N4
    2002年9月
    N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
    特点
    450V ， 5.6A ，R
    DS （ ON）
    = 700m
    Ω
    @V
    GS
    =10V.
    超级高密度电池设计极低R
    DS （ ON）
    .
    高功率和电流处理能力。
    TO- 220F全白的通孔。
    D
    6
    G
    G
    D
    S
    TO-220F
    S
    绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有说明）
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流连续
    -Pulsed
    漏源二极管的正向电流
    最大功率耗散
    @ T = 25℃
    减免上述25℃
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    I
    S
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    极限
    450
    30
    5.6
    17
    5.6
    45
    0.36
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    W / C
    C
    热特性
    热阻，结到外壳
    热阻，结到环境
    R
    JC
    R
    JA
    6-107
    2.8
    65
    C / W
    C
    /W

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6