CEFF630B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CEFF630B
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 86 K
品牌：	CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]

CEPF630B/CEBF630B

CEIF630B/CEFF630B

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

TYPE

CEPF630B

CEBF630B

CEIF630B

CEFF630B

DSS

200V

DS （ ON）

0.4Ω

10V

初步

超级高密度电池设计极低R

DS （ ON）

高功率和电流移交能力。

被收购无铅产品。

TO- 220 & TO- 263 & TO- 262封装& TO- 220F通孔全白了。

CEB系列

TO-263(DD-PAK)

CEI系列

TO-262(I2-PAK)

CEP系列

TO-220

CEF系列

TO-220F

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

漏电流脉冲

最大功率耗散@ T

= 25 C

- 减免上述25℃

单脉冲雪崩能量

单脉冲雪崩电流

TC = 25℃ ，除非另有说明

极限

符号

TO-220/263/262

英镑

0.59

150

200

TO-220F

单位

W / C

0.28

150

-55到150

操作和存储温度范围

热特性

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

符号

θJC

θJA

1.7

62.5

极限

3.6

单位

C / W

2004.November

4 - 194

http://www.cetsemi.com

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